Sk Hynix Kembangkan RAM DDR4 Paling Efisien

SK Hynix mengumumkan bahwa mereka mengembangkan chip DRAM DDR4 1Z nm 16Gb. Saat ini, chip DRAM 16Gb merupakan chip paling padat dan total memory per silicon wafer paling besar diantara DRAM lainnya. Hal ini membuat produktifitas DRAM terbaru ini meningkat 27% dibandingkan generasi sebelumnya, yaitu 1Y nm. Selain itu, produksi DRAM 1Z nm juga tidak memerlukan lithography EUV atau extreme ultraviolet yang mahal.

DRAM 1Z nm juga mendukung data transfer hingga 3200 Mbps, sehingga menjadi yang paling cepat untuk RAM DDR4 lainnya. SK Hynix juga meningkatkan efisiensi produknya, yaitu mengurangi penggunaan daya listrik hingga 40% dibandingkan chip DRAM 1Y nm 8Gb dengan kepadatan yang sama, yaitu 16Gb. Chip DRAM 1Z nm ini akan diterapkan pada berbagai macam implementasi pengembangan LPDDR5 untuk smartphone, dan HBM3 untuk menjadi DRAM tercepat.